Samsung ir paziņojis, ka tagad masveidā ražo pasaulē pirmo 1 TB iegulto Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) moduli tālruņiem, un palaišanas laiks liek domāt, ka atmiņas mikroshēma varētu nonākt Galaxy S10. Samsung atzīmēja, ka pats modulis ir tāda paša izmēra kā 512GB mikroshēma, kas atrodama Galaxy Note 9.
Samsung to var sasniegt, izmantojot V-NAND tehnoloģiju, kur NAND šūnas ir sakārtotas vertikāli, lai palielinātu blīvumu un efektivitāti. Samsung plāno secīgu lasīšanas ātrumu līdz 1000Mbps un rakstīšanas ātrumu līdz 260Mbps, kam vajadzētu ļaut uzglabāšanas modulim piedāvāt nepārtrauktu video ierakstīšanu pat ar 960fps.
Saskaņā ar Samsung atmiņas mārketinga viceprezidenta Cheol Choi teikto, 1 TB eUFS modulim būs galvenā loma, "nodrošinot nākamajām mobilajām ierīcēm vairāk piezīmjdatoriem līdzīgu lietotāju pieredzi". Samsung mobilais izpilddirektors DJ Koh šīs nedēļas sākumā sniegtā intervijā sacīja, ka Galaxy S10 atbildīs klientu vēlmēm, un 1TB iekšējās atmiņas piedāvāšana ir viens no veidiem, kā to izdarīt.
